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UPA810T-T1	文件：223.98 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR TheµPA810Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •HighGain \|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •ASmallMiniMoldPackageA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
UPA810T-T1	文件：486.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories
UPA810T-T1	文件：207.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories
UPA810T-T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO	CEL California Eastern Laboratories
UPA810T-T1-A	文件：207.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories
UPA810T-T1-A	文件：486.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories
UPA810T-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363	CEL California Eastern Laboratories

产品属性

产品编号：
UPA810T-T1
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
4.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz
增益：
7dB ~ 9dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
6-SO
描述：
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO

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