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UPA810T-T1数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
UPA810T-T1 |
| 参数属性 | UPA810T-T1 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO |
| 功能描述 | HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 6-PIN 2 ×2SC4226) SMALL MINI MOLD |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 原厂标识 | Renesas |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 22:58:00 |
| 人工找货 | UPA810T-T1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
UPA810T-T1规格书详情
描述 Description
The µPA810T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.FEATURES
• Low Noise
NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE= 3 V, IC= 7 mA
• High Gain
|S21e|2= 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE= 3 V, IC= 7 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 ×2SC4226)
特性 Features
• Low Noise
NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE= 3 V, IC= 7 mA
• High Gain
|S21e|2= 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE= 3 V, IC= 7 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 ×2SC4226)
技术参数
- 产品编号：
UPA810T-T1
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
4.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz
- 增益：
7dB ~ 9dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
6-SO
- 描述：
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-363 |
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SOT-363 |
200000 |
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