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ZVP4525E6TA	文件：318.24 Kbytes Page：7 Pages	250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：318.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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ZVP4525E6TC	文件：417.15 Kbytes Page：8 Pages	250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification. It offers efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a var 文件：417.15 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
KVN4525E6	文件：56.58 Kbytes Page：2 Pages	250V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：56.58 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
ZVN4525E6	文件：426.28 Kbytes Page：8 Pages	250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION This 250V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a varie 文件：426.28 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZVN4525E6	文件：437.28 Kbytes Page：8 Pages	250V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This 250V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a competitive specification. It offers efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdowns. Applications benefiting from this de 文件：437.28 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
ZVP4525E6TA
功能描述：
MOSFET P-Chnl 250V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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