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UPA2793GR	文件：349.63 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2793GR is N- and P-channel MOS Field Effect Transistors designed for Motor Drive application. FEATURES • Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.5 A) RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.5 A) P-channel RDS(on)1 = 26 mΩ MAX. (VGS 文件：349.63 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2793GR	文件：2.53356 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：2.53356 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
UPA2793GR-E1-AZ	文件：349.63 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2793GR is N- and P-channel MOS Field Effect Transistors designed for Motor Drive application. FEATURES • Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.5 A) RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.5 A) P-channel RDS(on)1 = 26 mΩ MAX. (VGS 文件：349.63 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2793GR-E2-AZ	文件：349.63 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2793GR is N- and P-channel MOS Field Effect Transistors designed for Motor Drive application. FEATURES • Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.5 A) RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.5 A) P-channel RDS(on)1 = 26 mΩ MAX. (VGS 文件：349.63 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2793GR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Vgs (off) (V) max.：
2.5
Nch/Pch：
Nch/Pch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Dual
Pch (W)：
1.7
VDSS (V) max.：
40
Application：
Low Voltage General Switching
ID (A)：
7
Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
23
Package Type：
Power SOP8
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
15
Production Status：
Non-promotion
Ciss (pF) typ.：
2200
Downloadable：
SPICE
QG (nC) typ.：
40

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更多UPA2793GR供应商更新时间2025-10-27 10:05:00

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