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UPA2791GR-E2-AT	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The μ PA2791GR is N- and P-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) P-channel 文件：248.99 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA2791GR-E2-AT	文件：437.97 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2791GR is N- and P-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) P-channel RDS(on)1 = 82 mΩ MAX. (VG 文件：437.97 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2793GR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
UPA572T-T1B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT353	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
UPA672T	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT363	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
UPA2791GR-E2-AT
功能描述：
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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