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UPA2810T1L-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The μ PA2810 is P-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications of portable equipments. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 12 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −13 A) RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −6.5 A) • Built-in gate protection

文件:359.49 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

UPA572T-T1B

SOT353

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UPA672T

SOT363

RENESAS

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上传:深圳市正纳电子有限公司

UPA810T-T1

SOT363

UPA810T-T1-A

SOD363

RENESAS

瑞萨

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详细参数

  • 型号:

    UPA2810T1L-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多UPA2810T1L-E1-AY供应商 更新时间2025-12-22 14:03:00