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|---|---|---|---|---|
UPA2810T1L-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2810 is P-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications of portable equipments. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 12 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −13 A) RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −6.5 A) • Built-in gate protection 文件:359.49 Kbytes 页数:8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
SOT353 | RENESAS | |||
SOT363 | RENESAS | |||
SOT363 | NEC | |||
SOD363 | RENESAS |
详细参数
- 型号:
UPA2810T1L-E1-AY
- 功能描述:
MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
QFN8 |
66000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
QFN8 |
50000 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
QFN |
11200 |
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RENESAS/瑞萨 |
/ROHS.original |
原封 |
22102 |
电子元件,供应 -正纳电子/ 元器件IC -MOS -MCU. |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
DFN33338(3.3x3.3) |
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RENESAS/瑞萨 |
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NA/ |
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QFN8 |
60000 |
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