| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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9年
留言
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ADSMD-6 |
3000 |
25+ |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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13年
留言
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NECSOT23-6 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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16年
留言
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NECSMD-6 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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13年
留言
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NEC6pinWSOF |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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3年
留言
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NECSOT23-6 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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13年
留言
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NECSOT23-6 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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7年
留言
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NECSOT363 |
1625 |
5 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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3年
留言
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NECSOT363 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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17年
留言
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NECSMD-6 |
5137 |
24+ |
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16年
留言
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NECSOT363 |
5185 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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3年
留言
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NECSOT23-6 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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6年
留言
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NECSOT23-6 |
2220 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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3年
留言
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NECSOT363 |
50000 |
23+ |
只做原装正品 |
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RENESAS/瑞萨 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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6年
留言
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VBSEMI/台湾微碧SC-70 |
18578 |
23+ |
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6年
留言
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VBSEMI/台湾微碧SC-70 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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13年
留言
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NECSOT363 |
4130 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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7年
留言
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RENESAS/瑞萨6-WSOF |
50000 |
26+ |
芯为深仓现货 |
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11年
留言
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NECSOT363-6 |
6540 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
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16年
留言
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NECSOT-363 |
10000 |
25+ |
全新原装现货库存 |
UPA651采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UPA651图片
UPA651TT-E1中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA651功能描述:UPA651TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002]
UPA651TT制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA651TT-E1-A功能描述:MOSFET P-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA651TT-E2-A功能描述:MOSFET P-CH 20V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
























