| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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15年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT363 |
32000 |
25+ |
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RENESAS/瑞萨全新特价UPA650TT-E1即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-363 |
32360 |
25+ |
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RENESAS/瑞萨全新特价UPA650TT-E1-A即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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Renesas6-WSOF P/B |
2018 |
09+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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8年
留言
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NECSOT363 |
20000 |
24+ |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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1年
留言
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NECSOT363 |
6800 |
25+ |
原装正品 |
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12年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-363 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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NECSOT363 |
66600 |
23+ |
专业芯片配单原装正品假一罚十 |
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11年
留言
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NECSOT363 |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货 价格优势 |
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3年
留言
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Renesas6-WSOF P/B |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT363-6 |
6540 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
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6年
留言
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RENESAS/瑞萨SMD |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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6年
留言
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NECSOT-363 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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10年
留言
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NECELECTRNA |
13155 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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12年
留言
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NECSOT363 |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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13年
留言
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RENESASSOT-363 |
31865 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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15年
留言
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Renesas6-WSOFPB |
34884 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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11年
留言
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RENESAS/瑞萨SDOT363 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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6年
留言
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VBSEMI/台湾微碧SC-70 |
18974 |
23+ |
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16年
留言
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RENESAS原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-363 |
28347 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
UPA650采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
UPA650图片
UPA650TT-E1价格
UPA650TT-E1价格：￥0.4550品牌：NEC
生产厂家品牌为NEC的UPA650TT-E1多少钱，想知道UPA650TT-E1价格是多少？参考价：￥0.4550。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，UPA650TT-E1批发价格及采购报价，UPA650TT-E1销售排行榜及行情走势，UPA650TT-E1报价。
UPA650TT-E1中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA650功能描述:UPA650TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002]
UPA650TT制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA650TT-E1-A功能描述:MOSFET P-CH 12V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA650TT-E2-A功能描述:MOSFET P-CH 12V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
