| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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15年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT363 |
32000 |
25+ |
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RENESAS/瑞萨全新特价UPA650TT-E1即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-363 |
32360 |
25+ |
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RENESAS/瑞萨全新特价UPA650TT-E1-A即刻询购立享优惠#长期有货 |
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1年
留言
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NECSOT-363 |
1110 |
2013+ |
上传都是百分之百进口原装现货 |
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6年
留言
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Renesas6-WSOF P/B |
2018 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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4年
留言
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Renesas6-WSOF P/B |
2018 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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12年
留言
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RENESASSDOT363 |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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13年
留言
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NECSOT23-6 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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13年
留言
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RENESASSOT363 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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3年
留言
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RENESASSOT-363 |
50000 |
23+ |
只做原装正品 |
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12年
留言
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RENESAS/瑞萨SDOT363 |
5270 |
25+ |
原盒原盘正品现货 假一赔十 |
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12年
留言
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NECSOT363 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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13年
留言
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NEC6pinWSOF |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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15年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-363 |
9989 |
26+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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13年
留言
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RENESASSOT363 |
8000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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RENESAS/瑞萨SOT363-6 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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12年
留言
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NECSOT363 |
30000 |
25+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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3年
留言
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Renesas6-WSOF P/B |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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15年
留言
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NECWSOF-6 |
5989 |
2602+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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8年
留言
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N/A |
64000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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6年
留言
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NECSOT-363 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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UPA650图片
UPA650TT-E1价格
UPA650TT-E1价格:¥0.4550品牌:NEC
生产厂家品牌为NEC的UPA650TT-E1多少钱,想知道UPA650TT-E1价格是多少?参考价:¥0.4550。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UPA650TT-E1批发价格及采购报价,UPA650TT-E1销售排行榜及行情走势,UPA650TT-E1报价。
UPA650TT-E1中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA650功能描述:UPA650TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002]
UPA650TT制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA650TT-E1-A功能描述:MOSFET P-CH 12V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA650TT-E2-A功能描述:MOSFET P-CH 12V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件


























