| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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NECDIP-18 |
8000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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12年
留言
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RENESAS/瑞萨SC-74-6 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT23-6 |
6000 |
23+ |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
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11年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT23-6 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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10年
留言
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NECDIP-182K |
15000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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10年
留言
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SOT-163NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT23-6 |
880000 |
12+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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15年
留言
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NECDIP-182K |
7962 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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6年
留言
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NECSOT-23-6 |
2300 |
23+ |
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13年
留言
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NECDIP-18P |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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10年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
12820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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6年
留言
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RENESAS-瑞萨SOT-163 |
57500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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13年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
43250 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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17年
留言
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NECSOT23-6 |
1180 |
24+ |
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3年
留言
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NECSOT-163 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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9年
留言
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NECDIP-18P |
41860 |
1997 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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11年
留言
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NECSOT-163 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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13年
留言
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NECDIP-18/ |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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NECSOT-163 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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5年
留言
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NECDIP |
37500 |
25+ |
原装正品现货,价格有优势! |
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UPA611图片
UPA611TA价格
UPA611TA价格:¥0.4550品牌:NEC
生产厂家品牌为NEC的UPA611TA多少钱,想知道UPA611TA价格是多少?参考价:¥0.4550。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UPA611TA批发价格及采购报价,UPA611TA销售排行榜及行情走势,UPA611TA报价。
UPA6118C中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA611功能描述:UPA611TA Data Sheet | Data Sheet[08/1999]
UPA611TA制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
UPA611TA-T1-A功能描述:MOSFET DL N-CH 30V 100MA SC-74 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA611TA-T2-A功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR































