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UPA2806T1L-E1-AY	文件：236.37 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The μ PA2806 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 57 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) ⎯ RDS(on)2 = 70 mΩ MAX. (VGS = 8 V, ID = 10 A) • Low Ciss: Ciss = 780 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS 文件：236.37 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA572T-T1B	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT353	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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UPA810T-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOD363	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
UPA2806T1L-E1-AY
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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