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UPA2755AGR-E2-AT	文件：280.96 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2755AGRisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconvertersandpower managementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) RDS(on)2=29mΩMAX.(VGS=4	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2755AGR-E2-AT

文件：280.96 Kbytes

Page：9 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2755AGRisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconvertersandpower managementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) RDS(on)2=29mΩMAX.(VGS=4

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
UPA2755AGR-E2-AT
功能描述：
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	UPA2755AGR-E2-AT	RENESAS/瑞萨	22+	8-PSOP	25000	只有原装原装,支持BOM配单	询价
深圳市一线半导体有限公司	UPA2755GR	NEC	24+	SOP-8	2500		询价
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更多UPA2755AGR-E2-AT供应商更新时间2025-6-12 15:01:00

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