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UPA2743T1A	文件：274.65 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2743T1AisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=4.6mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) •Built-ingateprot	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2743T1A	文件：1.11174 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •NotebookPCCore •VRM/POL	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA2743T1A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
UPA2743T1A-E1-AY	文件：274.65 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2743T1AisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=4.6mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) •Built-ingateprot	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2743T1A-E2-AY	文件：274.65 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2743T1AisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=4.6mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) •Built-ingateprot	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PA2743T1A	文件：274.65 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
UPA2743T1A
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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