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UPA2757GR	文件：180.28 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS 文件：180.28 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA2757GR	文件：371.36 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS = 10 V) 文件：371.36 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2757GR-E1-AT	文件：180.28 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS 文件：180.28 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA2757GR-E1-AT	文件：371.36 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS = 10 V) 文件：371.36 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2757GR-E2-AT	文件：180.28 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS 文件：180.28 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA2757GR-E2-AT	文件：371.36 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS = 10 V) 文件：371.36 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2757GR	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
UPA2757GR
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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