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UPA2762UGR-E1-AT	文件：207.45 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The μ PA2762UGR is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 13.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 12 A) ⎯ RDS(on)2 = 22 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 10 A) • Low Ciss: Ciss 文件：207.45 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多UPA2762UGR-E1-AT供应商更新时间2025-10-5 14:14:00