UPA2762UGR-E1-AT中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

厂商型号	UPA2762UGR-E1-AT
功能描述	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
文件大小	207.45 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	RENESAS
中文名称	瑞萨
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更新时间	2025-12-1 8:40:00
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描述 Description

The μ PA2762UGR is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer.

特性 Features

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on)1 = 13.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 12 A)

⎯ RDS(on)2 = 22 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 10 A)

• Low Ciss: Ciss = 710 pF TYP. (VDS = 15 V, VGS = 0 V)

• Small and surface mount package (Power SOP8)

• RoHS Compliant

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