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UPA2781GR	文件：291.13 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μPA2781GR is N-channel Power MOSFET, which built a Schottky Barrier Diode inside. This product is designed for synchronous DC/DC converter application. FEATURES • Built a Schottky Barrier Diode • Low on-state resistance RDS(on)1 = 7.6 mΩ TYP. (VGS = 10 V, ID = 7 A) RDS(on) 文件：291.13 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA2781GR	文件：63.41 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET/SCHOTTKY BARRIER DIODE 文件：63.41 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA2781GR	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET/SCHOTTKY BARRIER DIODE	Renesas 瑞萨	Renesas
UPC2781GR	文件：78.62 Kbytes Page：5 Pages	SI MMIC IQ DEMODULATOR 文件：78.62 Kbytes 页数：5 Pages	NEC 瑞萨	NEC

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更多UPA2781供应商更新时间2026-3-16 19:51:00