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UPA2781GR中文资料PDF规格书

UPA2781GR
厂商型号

UPA2781GR

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

291.13 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 19:11:00

UPA2781GR规格书详情

DESCRIPTION

The μPA2781GR is N-channel Power MOSFET, which built a

Schottky Barrier Diode inside.

This product is designed for synchronous DC/DC converter

application.

FEATURES

• Built a Schottky Barrier Diode

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 7.6 mΩ TYP. (VGS = 10 V, ID = 7 A)

RDS(on)2 = 11.3 mΩ TYP. (VGS = 4.5 V, ID = 7 A)

RDS(on)3 = 12.9 mΩ TYP. (VGS = 4.0 V, ID = 7 A)

• Low Ciss: Ciss = 900 pF TYP.

• Small and surface mount package (Power SOP8)

产品属性

  • 型号:

    UPA2781GR

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET/SCHOTTKY BARRIER DIODE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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