首页>UPA2763T1A-E1-AY>规格书详情
UPA2763T1A-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
UPA2763T1A-E1-AY规格书详情
描述 Description
The μ PA2763 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for DC/DC converter and power management applications.
特性 Features
• Low on-state resistance
⎯ RDS(on)1 = 23.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 21 A)
⎯ RDS(on)2 = 28.0 mΩ MAX. (VGS = 8 V, ID = 21 A)
• Low Ciss 2100 pF TYP.
• Built-in gate protection diode
• Thin type surface mount package with heat spreader (8-pin HVSON)
• RoHS Compliant
产品属性
- 型号:
UPA2763T1A-E1-AY
- 功能描述:
MOSFET N-CH 100V 42A 8HSON
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
QFN |
900 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
新年份 |
DFN5*6 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
RENESA |
24+ |
DFN5X6 |
22238 |
原装正品现货库存假一赔十欢迎询价 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
DFN33 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
8-DFN3333 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6-L |
986966 |
国产 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
8-DFN3333 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
DFN56 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 |