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UPA2746UT1A-E2-AY	文件：357.6 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2746UT1AisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forDC/DCconverterapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance •RDS(on)1=3.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •RDS(on)2=4.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=23A) •LowQG •Thintypesurfacemountpackage	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2746UT1A-E2-AY

文件：357.6 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2746UT1AisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forDC/DCconverterapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance •RDS(on)1=3.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) •RDS(on)2=4.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=23A) •LowQG •Thintypesurfacemountpackage

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