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UPA2721GR-E1	文件：280.25 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=6.3mΩMAX.(VGS=4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多UPA2721GR-E1供应商更新时间2024-9-23 10:20:00

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