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UPA2721AGR-E2-AT	文件：271.54 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2721AGR-E2-AT

文件：271.54 Kbytes

Page：8 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) •Lowinputcapacitance C

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更多UPA2721AGR-E2-AT供应商更新时间2024-9-24 10:13:00

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