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STGD10NC60HDT4	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	丝印：GD10NC60HD；Package：DPAK；600 V - 10 A - very fast IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recov 文件：771.12 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGD10NC60HDT4	文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages	600 V - 10 A - very fast IGBT 文件：774.03 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGD10NC60HDT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 62W D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGD10NC60HDT4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，5A
开关能量：
31.8µJ（开），95µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
14.2ns/72ns
测试条件：
390V，5A，10欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
IGBT 600V 20A 62W D2PAK

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