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STGF20NB60S	文件：296.95 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL 13A - 600V TO-220FP PowerMESH TM IGBT 文件：296.95 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGF20NB60S	文件：293.08 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 13A - 600V TO-220FP PowerMESH IGBT 文件：293.08 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGF20NB60S_0508	文件：296.95 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL 13A - 600V TO-220FP PowerMESH TM IGBT 文件：296.95 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGF20NB60S	文件：300 bytes Page：1 Pages	PowerMESH IGBT, S series 600 V, 13 A low drop Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout,STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, withoutstanding performance. The suffix “S” represents a series optimized to achieve minimumon-voltage drop for low frequency applications.\n • Low on-voltage drop (VCE(sat))• High current capability;	ST 意法半导体	ST
STGF20NB60S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 24A 40W TO220FP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGF20NB60S
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，20A
开关能量：
840µJ（开），7.4mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
92ns/1.1µs
测试条件：
480V，20A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
IGBT 600V 24A 40W TO220FP

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