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STGD10NC60HT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道600 V、10 A超快IGBT This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. This device is well-suited for resonant or soft-switching applications.\n\n • Low on-voltage drop (VCE(sat)) \n• Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility);	ST 意法半导体	ST
STGD10NC60HT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 20A 60W DPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STGD18N40LZT4功率三极管	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法
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更多STGD10NC60HT4供应商更新时间2026-1-30 17:31:00