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STGB18N40LZT4

Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESHtechnology optimizedforcoildrivingintheharshenvironmentofautomotiveignitionsystems. Thedeviceshowverylowon-statevoltageandveryhighSCISenergycapabilityover awideoperatingtemperaturerange.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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STGB18N40LZT4

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

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STGB18N40LZT4

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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STGB18N40LZT4

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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STGB18N40LZT4

包装:管件 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK

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STGD18N40LZT4

Automotive-grade390VinternallyclampedIGBTESCIS180mJ

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESHtechnology optimizedforcoildrivingintheharshenvironmentofautomotiveignitionsystems. Thedeviceshowverylowon-statevoltageandveryhighSCISenergycapabilityover awideoperatingtemperaturerange.

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STGD18N40LZT4

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

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STGD18N40LZT4

EAS180mJ-390V-internallyclampedIGBT

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STGD18N40LZT4

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

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产品属性

  • 产品编号:

    STGB18N40LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,10A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    650ns/13.5µs

  • 测试条件:

    300V,10A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 420V 30A 150W D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
21+
NA
12500
只做全新原装假一罚十特价
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STMicroelectronics
23+
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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ST(意法半导体)
23+
TO-263
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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22+
TO-263
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只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务!
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ST/意法
22+
TO-263
10000
原装正品
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ST
22+
TO-263
15000
原装优质现货订货渠道商
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ST/意法
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TO263
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ST/意法
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TO-263
700000
公主请下单 柒号只做原装
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ST/意法
23+
TO263
6500
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
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更多STGB18N40LZT4供应商 更新时间2024-4-26 14:30:00