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STGD18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT Description This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot 文件：632.91 Kbytes 页数：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
STGD18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT 文件：636.58 Kbytes 页数：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
STGD18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT 文件：896 Kbytes 页数：19 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
STGD18N40LZ-1 | Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 420V 25A 125W IPAK | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
STGD18N40LZ-1
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 4.5V，10A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
650ns/13.5µs
- 测试条件：
300V，10A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商器件封装：
I-PAK
- 描述：
IGBT 420V 25A 125W IPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-251 |
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ST |
15+PBF |
TO-251 |
3000 |
普通 |
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STM |
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TO-251 |
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ST/意法 |
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STMicroelectronics |
2022+ |
I-PAK |
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