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STGB30NC60WT4

30 A - 600 V - ultra fast IGBT

文件:461.61 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGB7NC60HDT4

TO-263

st

STGD18N40LZT4

TO-263

st

STGD18N40LZT4功率三极管

TO-252

ST/意法

STGD5NB120SZT4

TO-263

st

详细参数

  • 型号:

    STGB30NC60WT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 3A 6V ULT FAST IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多STGB30NC60WT4供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00