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STGB30M65DF2	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗; • 6 µs of short-circuit withstand time \n• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A \n• Tight parameters distribution \n• Safer paralleling \n• Low thermal resistance \n• Soft and very fast recovery antiparallel diode; This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STGB30M65DF2	文件：881.96 Kbytes Page：18 Pages	Low thermal resistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGF30M65DF2	文件：731.88 Kbytes Page：16 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alow-lossinaTO-220FPpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGHU30M65DF2AG	文件：1.08111 Mbytes Page：16 Pages	Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,30Alow-lossMseriesIGBTinanHU3PAKpackage Features •AEC-Q101qualified •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •6μsofminimumshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=30A •Tightparameterdistribution •Saferparalleling •Lowthermalresistance •Softandveryfast-recoveryantiparalleldiode •Exc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP30M65DF2	文件：695.31 Kbytes Page：16 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP30M65DF2	文件：372.21 Kbytes Page：4 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGW30M65DF2	文件：726.59 Kbytes Page：19 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGWA30M65DF2	文件：303.76 Kbytes Page：2 Pages	TrenchField-StopTechnologyIGBT DESCRIPTION ·OptimizedforLowConductionLosses ·Tightparametersdistribution ·SaferParalleling ·Lowthermalresistance ·Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode APPLICATIONS ·PFCCircuits ·MotorDrives ·Uninterruptiblepowersupplies(UPS)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGWA30M65DF2	文件：726.59 Kbytes Page：19 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
650
PTOT_max(W)：
258
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
30
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
60
IF_max(@ Tc=100°C)(A)：
30
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
60
VCE(sat)_typ(V)：
1.55
VF_typ(V)：
1.85
Qg_typ(nC)：
80
Eon_typ(mJ)：
0.3
Eoff_typ(mJ)：
0.96
Err_typ(µJ)：
115
Qrr_typ(nC)：
880

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