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STGAP2GSCTR	文件：551.02 Kbytes Page：20 Pages	丝印：GAP2GS；Package：SO-8；Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs Features • High voltage rail up to 1200 V • Driver current capability: 2 A / 3 A source/sink @25 °C, VH = 6 V • dV/dt transient immunity ±100 V/ns • Input-output propagation delay: 45 ns • Separate sink and source option for easy gate driving configuration • UVLO function optimized for GaN 文件：551.02 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGAP2SMTR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8	ST 上传：深圳市铭尔达科技有限公司	ST
STGB10NB40LZT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	st 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	st
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STGB19NC60KDT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	ST 上传：深圳市美光存储技术有限公司	ST

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中天科工半导体（深圳）有限公司	STGAP2GSCTR	ST(意法半导体)	26+	SO-8	60000	ST(意法半导体)原装栅极驱动芯片STGAP2GSCTR即刻询购立享优惠长期有订	询价
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更多STGAP2GSCTR供应商更新时间2026-10-15 14:15:00