600 V - 10 A - very fast IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recov

文件：771.12 Kbytes 页数：19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

st
TO-263

st

上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司

ST
D2PAK

ST

上传：深圳市美光存储技术有限公司

ST/意法
TO-263

ST/意法

上传：深圳庞田科技有限公司

st
TO-263

st

上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司