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STGB10NC60HD	文件：453.39 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：453.39 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB10NC60HD	文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT 文件：410.77 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB10NC60HD_V01	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	600 V - 10 A - very fast IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recov 文件：771.12 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB10NC60HDT4	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	丝印：GB10NC60HD；Package：D2PAK；600 V - 10 A - very fast IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recov 文件：771.12 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB10NC60HD_0710	文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT 文件：410.77 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB10NC60HD_08	文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages	600 V - 10 A - very fast IGBT 文件：774.03 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB10NC60HDT4	文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages	600 V - 10 A - very fast IGBT 文件：774.03 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB10NC60HD	文件：300 bytes Page：1 Pages	超快“H”系列 This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. • Low on-voltage drop (VCE(sat)) \n• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode \n• Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility);	ST 意法半导体	ST
STGB10NC60HDT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V, 10 A very fast IGBT These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. • Low on voltage drop (VCE(sat)) \n• Low Cres / Cies ratio (no cross-conduction susceptibility) \n• Very soft ultra-fast recovery antiparallel diode;	ST 意法半导体	ST

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
600
PTOT_max(W)：
65
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
10
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
20
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
10
VCE(sat)_typ(V)：
1.75
VF_typ(V)：
2
Qg_typ(nC)：
19.2
Eon_typ(mJ)：
0.03
Eoff_typ(mJ)：
0.1
Qrr_typ(nC)：
14

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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