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STGB19NC60HD	文件：524.83 Kbytes Page：18 Pages	19 A - 600 V - very fast IGBTE[ 文件：524.83 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB19NC60HD	文件：511.88 Kbytes Page：18 Pages	19 A - 600 V - very fast IGBT 文件：511.88 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB19NC60HD	文件：724.64 Kbytes Page：17 Pages	19 A - 600 V - very fast IGBT 文件：724.64 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB19NC60HD_0810	文件：524.83 Kbytes Page：18 Pages	19 A - 600 V - very fast IGBTE[ 文件：524.83 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB19NC60HD_09	文件：724.64 Kbytes Page：17 Pages	19 A - 600 V - very fast IGBT 文件：724.64 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB19NC60HDT4	文件：511.88 Kbytes Page：18 Pages	19 A - 600 V - very fast IGBT 文件：511.88 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB19NC60HDT4	文件：724.64 Kbytes Page：17 Pages	19 A - 600 V - very fast IGBT 文件：724.64 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB19NC60HDT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	19 A、600 V超快IGBT，带超高速二极管 These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. • Low on-voltage drop (VCE(sat)) \n• Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode;	ST 意法半导体	ST

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
600
PTOT_max(W)：
130
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
19
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
40
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
20
VCE(sat)_typ(V)：
1.8
VF_typ(V)：
2.6
Qg_typ(nC)：
53
Eon_typ(mJ)：
0.09
Eoff_typ(mJ)：
0.19
Qrr_typ(nC)：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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