STGAP2HS

Galvanically isolated 4 A single gate driver

Features •Highvoltagerailupto1200V •Drivercurrentcapability:4Asink/source@25°C •dV/dttransientimmunity±100V/nsinfulltemperaturerange •Overallinput-outputpropagationdelay:75ns •Separatesinkandsourceoptionforeasygatedrivingconfiguration •4AMillerCLAMP

STGAP2HS

Galvanically isolated 4 A single gate driver; • 高压导轨达1200 V \n• 驱动器电流能力：4 A灌/拉@25°C \n• dV/dt瞬态抗扰性 ±100 V/ns（整个温度范围） \n• 总输入 - 输出传播延迟：75 ns \n• 独立的电流拉灌选项，轻松实现栅极驱动配置 \n• 4A专用密勒钳位引脚 \n• UVLO功能• 栅极驱动电压高达26 V \n• 具有迟滞的3.3 V，5 V TTL / CMOS输入 \n• 温度关断保护 \n• 待机功能 \n• 6 kV电隔离 \n• 宽体SO-8W封装;

STGAP2HS是一款单栅极驱动器，在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供6 kV磁隔离的。\n\n 该栅极驱动器具有4 A能力和轨到轨输出，使得该器件还适合工业应用中的功率转换、电机驱动逆变器等高功率应用。该设备有两种不同的配置。具有独立输出引脚的配置可以使用栅极电阻独立优化导通和关断。具有单输出引脚和米勒钳位功能的配置可防止半桥拓扑中快速换向期间的栅极峰值。两种配置均可为外部组件提供高度灵活性和减少外部材料清单。\n\n 该器件集成了UVLO和热关断保护功能，便于设计高可靠性系统。双输入引脚允许选择信号极性控制和实现硬件联锁保护，以避免在控制器故障时的交叉传导。输入到输出传播时延小于75 ns，提供高PWM控制精度。可以使用待机模式以降低空闲时的功耗。\n\n

STGAP2HSCMTR

Galvanically isolated 4 A single gate driver

Features •Highvoltagerailupto1200V •Drivercurrentcapability:4Asink/source@25°C •dV/dttransientimmunity±100V/nsinfulltemperaturerange •Overallinput-outputpropagationdelay:75ns •Separatesinkandsourceoptionforeasygatedrivingconfiguration •4AMillerCLAMP

STGAP2HSMTR

Galvanically isolated 4 A single gate driver

Features •Highvoltagerailupto1200V •Drivercurrentcapability:4Asink/source@25°C •dV/dttransientimmunity±100V/nsinfulltemperaturerange •Overallinput-outputpropagationdelay:75ns •Separatesinkandsourceoptionforeasygatedrivingconfiguration •4AMillerCLAMP