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STGB14NC60KD	文件：456.95 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH IGBT 文件：456.95 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KD	文件：833.54 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT 文件：833.54 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KD	文件：455.93 Kbytes Page：16 Pages	14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 文件：455.93 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KD	文件：543.38 Kbytes Page：16 Pages	14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT 文件：543.38 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KD_06	文件：833.54 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT 文件：833.54 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KD_08	文件：455.93 Kbytes Page：16 Pages	14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT 文件：455.93 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KD_10	文件：543.38 Kbytes Page：16 Pages	14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT 文件：543.38 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KDT4	文件：543.38 Kbytes Page：16 Pages	14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT 文件：543.38 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KDT4	文件：456.95 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH IGBT 文件：456.95 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB14NC60KDT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	14 A、600 V短路保护IGBT These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. • Low on voltage drop (VCE(sat)) \n• Low Cres / Cies ratio (no cross-conduction susceptibility) \n• Very soft ultrafast recovery antiparallel diode \n• Short-circuit withstand time 10 μs;	ST 意法半导体	ST

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
600
PTOT_max(W)：
80
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
14
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
25
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
10
VCE(sat)_typ(V)：
1.85
VF_typ(V)：
1.8
Qg_typ(nC)：
34.4
Eon_typ(mJ)：
0.08
Eoff_typ(mJ)：
0.16
Qrr_typ(nC)：
98

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