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STGB14NC60KDT4中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STGB14NC60KDT4
厂商型号

STGB14NC60KDT4

功能描述

14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT

文件大小

543.38 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 10:00:00

产品属性

  • 型号:

    STGB14NC60KDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
07+/08+
TO-263
7500
询价
ST/意法半导体
21+
D2PAK-3
8800
公司只做原装正品
询价
ST
24+
TO-263
13145
询价
ST(意法)
21+
N/A
1046
全新原装亏本出
询价
ST
新批次
D2PAK
3000
询价
ST/意法半导体
23+
N/A
20000
询价
ST
24+
TO263
10000
一级代理保证进口原装正品现货假一罚十价格合理
询价
ST
2022+
300
全新原装 货期两周
询价
ST/意法半导体
23+
D2PAK-3
7188
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持
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ST
2023+
TO-263
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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