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STGB10NC60KDT4分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGB10NC60KDT4
厂商型号

STGB10NC60KDT4

参数属性

STGB10NC60KDT4 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK

功能描述

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT
IGBT 600V 20A 65W D2PAK

文件大小

379.54 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 16:40:00

STGB10NC60KDT4规格书详情

Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “K” identifies a family optimized for high frequency motor control applications with short circuit withstand capability.

■ Lower on voltage drop (Vcesat)

■ Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)

■ Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

■ Short circuit withstand time 10µs

Applications

■ High frequency motor controls

■ SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies

■ Motor drivers

STGB10NC60KDT4属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGB10NC60KDT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    STGB10NC60KDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    55µJ(开),85µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/72ns

  • 测试条件:

    390V,5A,10欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 65W D2PAK

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