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STGB10NB37LZ分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGB10NB37LZ |
| 参数属性 | STGB10NB37LZ 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 440V 20A 125W D2PAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT |
| 文件大小 |
445.81 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体（ST）集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-20 11:42:00 |
STGB10NB37LZ规格书详情
STGB10NB37LZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体（ST）集团制造生产的STGB10NB37LZ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
STGB10NB37LZT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 4.5V，10A
- 开关能量：
2.4mJ（开），5mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
1.3µs/8µs
- 测试条件：
328V，10A，1 千欧，5V
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
263 |
11200 |
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询价 | |||
ST |
22 |
SOT-263 |
25000 |
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ST |
2023+ |
SOT-263 |
700000 |
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ST |
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D2PAK |
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ST |
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ST |
22+ |
SOT-263 |
30000 |
原装正品 |
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ST |
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D2PAK |
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ST/意法 |
TO-263 |
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