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NP80N03KDE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NP80N03KDE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    NP80N03KDE-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
22+
SOT-263
20000
保证原装正品,假一陪十
询价
VB
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
询价
NEC
23+
SOT-263
33000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
NEC
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货
询价
NEC
24+
TO-263
8866
询价
NEC
6000
面议
19
TO-263
询价
IR
23+
D2-PAK
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
NEC
TO-263
22+
6000
十年配单,只做原装
询价
NEC
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
询价
更多NP80N03KDE-E1-AY供应商 更新时间2025-5-7 14:50:00