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NP80N055EHE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT

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瑞萨瑞萨科技有限公司

NP80N055EHE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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瑞萨瑞萨科技有限公司

NP80N055EHE-E2-AYNote1,2

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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详细参数

  • 型号:

    NP80N055EHE-E2-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
23+
TO-252
9500
专业优势供应
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isc
2024
D2PAK/TO-263
175
国产品牌isc,可替代原装
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NEC
08+(pbfree)
TO-263
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23+
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NEC
6000
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TO-263
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23+
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TO-263
20000
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2020+
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NEC
23+
TO-263
90000
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更多NP80N055EHE-E2-AY供应商 更新时间2024-5-24 9:12:00