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NP82N04NUG-S18-AY	文件：322.83 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N04MUGandNP82N04NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Lowi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N04NUG-S18-AYNote	文件：322.83 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP82N04NUG-S18-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP82N04MUGandNP82N04NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Lowi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP82N04NUG-S18-AYNote

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP82N04NUG-S18-AY
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NP82N04NUG-S18-AY	RENESAS/瑞萨	23+	TO-262	33000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NP82N04NUG-S18-AY	Renesas Electronics America	2022+	TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市一线半导体有限公司	NP82N04PDG	NEC	24+	TO-263	8866		询价
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更多NP82N04NUG-S18-AY供应商更新时间2025-6-7 11:09:00

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