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NP82N04NUG-S18-AYNote	文件：322.83 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：322.83 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N04NUG-S18-AY	文件：322.83 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP82N04MUG and NP82N04NUG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Non logic level • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • High current rating ID(DC) = ±82 A • Low i 文件：322.83 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	南麟 SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	Amphenol Advanced Sensors 14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	Amphenol Advanced Sensors 14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

更多NP82N04NUG-S18-AYNOTE供应商更新时间2025-10-9 15:30:00