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NP82N055NUG	文件：319.92 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N055MUGandNP82N055NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N055NUG	文件：242.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP82N055NUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N055NUG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
NP82N055NUG-S18-AY	文件：319.92 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82N055MUGandNP82N055NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

Ciss (pF) typ.：
6400
Package Type：
MP-25SK/TO-262
Vgs (off) (V) max.：
4
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
143
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
55
Mounting Type：
Through Hole
ID (A)：
82
Series Name：
NP Series
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
6
QG (nC) typ.：
106

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