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NP82N055DHE-S12-AY	文件：421.05 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 3500 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：421.05 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N055DHE-S12-AY	文件：214 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：214 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPB02SVAN-RC	文件：0 bytes Page：0 Pages	BULK	SULLINS 上传：深圳市乐创天科技有限公司	SULLINS

详细参数

型号：
NP82N055DHE-S12-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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深圳市河锋鑫科技有限公司	NP82N055EHE	NEC	TO-263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	NP82N055ELE	RENESAS/瑞萨	23+	TO-251	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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