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NP82N055DHE-S12-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP82N055DHE-S12-AY
厂商型号

NP82N055DHE-S12-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

421.05 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-23 8:41:00

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NP82N055DHE-S12-AY规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

• Low input capacitance

Ciss = 3500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    NP82N055DHE-S12-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
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