选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨TO263 |
66 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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RenesasTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市正纳电子有限公司12年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市正纳电子有限公司8年
留言
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Renesas(瑞萨)原厂封装 |
32078 |
ROHS环保 |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
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20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTTO-263 |
8000 |
23+ |
全新、原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
58800 |
23+ |
一级代理放心采购 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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RENESAS/瑞萨TO263 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨TO-263 |
33000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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RENESAS/瑞萨TO263 |
6000 |
23+ |
进口原装自己库存实库实数 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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RENESAS/瑞萨TO263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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RENESAS/瑞萨TO263 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨TO-263 |
12500 |
22+ |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
留言
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67000 |
23+ |
原装正品实单可谈 库存现货 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨TO263 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨TO263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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RENESASTO263 |
8657 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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RenesasTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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NECTO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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Renesas Electronics America InDO-214AC(SMA) |
21000 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
NP83采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NP83图片
NP83P04PDG-E1-AY中文资料Alldatasheet PDF
更多NP83制造商:HUBBELL 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3) DUP, BR 制造商:Hubbell Premise Wiring 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3) DUP, BR 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3) DUP, BR
NP83AL制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3) DUP, AL
NP83I制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3) DUP, IV
NP83P04PDG制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP83P04PDG-E1-AY功能描述:MOSFET P-CH -40V 83A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP83P04PDG-E1-AZ制造商:Renesas Electronics Corporation
NP83P04PDG-E2-AY制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP83P06PDG制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP83P06PDG-E1-AY功能描述:MOSFET P-CH -60V 83A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP83P06PDG-E2-AY制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR