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NP83P04PDG-E1-AY	文件：190.16 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP83P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 5.3 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −41.5 A) RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −41.5 A) • High current rating: I 文件：190.16 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP83P04PDG-E1-AYNote	文件：299.5 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.5 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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更多NP83P04PDG-E1-AY供应商更新时间2026-2-3 14:02:00