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NP83P04PDG-E1-AYNote	文件：299.5 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP83P04PDG-E1-AY	文件：190.16 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP83P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41.5A) RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41.5A) •Highcurrentrating:I	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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NP83P04PDG-E1-AYNote

文件：299.5 Kbytes

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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP83P04PDG-E1-AY

文件：190.16 Kbytes

Page：7 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP83P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41.5A) RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41.5A) •Highcurrentrating:I

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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更多NP83P04PDG-E1-AYNOTE供应商更新时间2025-5-20 15:30:00

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