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NP84N055KHE	文件：219.92 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 7.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low input capacitance Ciss = 4540 pF 文件：219.92 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP84N055KHE	文件：306.34 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 7.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low input capacitance Ciss = 4540 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：306.34 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP84N055KHE	文件：306.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 84A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：306.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP84N055KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP84N055KHE-E1-AY	文件：306.34 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 7.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low input capacitance Ciss = 4540 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：306.34 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP84N055KHE-E1-AY	文件：219.92 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 7.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low input capacitance Ciss = 4540 pF 文件：219.92 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP84N055KHE-E2-AY	文件：219.92 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 7.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low input capacitance Ciss = 4540 pF 文件：219.92 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP84N055KHE-E2-AY	文件：306.34 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 7.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) • Low input capacitance Ciss = 4540 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：306.34 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP84N055KHE-E1-AYNote1	文件：306.92 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：306.92 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP84N055KHE-E2-AYNote1	文件：306.92 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：306.92 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

ID (A)：
84
Downloadable：
SPICE
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
0.0073
Package Type：
MP-25ZK/TO-263
Application：
Automotive Use
Nch/Pch：
Nch
Mounting Type：
Surface Mount
Automotive：
YES
Series Name：
NP Series
VDSS (V) max.：
55

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP84N055KHE	NEC	24+	TO-263	8866		询价
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更多NP84N055KHE供应商更新时间2026-2-1 13:30:00

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