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NP83P04PDG-E1-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP83P04PDG-E1-AY
厂商型号

NP83P04PDG-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

190.16 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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NP83P04PDG-E1-AY规格书详情

DESCRIPTION

The NP83P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 5.3 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −41.5 A)

RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −41.5 A)

• High current rating: ID(DC) = m83 A

产品属性

  • 型号:

    NP83P04PDG-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -40V 83A TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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