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NP88N04DHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF 文件：227.48 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP88N04DHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：313.85 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N04DHE	文件：242.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 88A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：242.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP88N04DHE-S12-AY	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF 文件：227.48 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP88N04DHE-S12-AY	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：313.85 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N04DHE-S12-AYNote1,2	文件：314.44 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：314.44 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N04DHE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP-25-S/TO-262
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
40
ID (A)：
88
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4.3
Ciss (pF) 典型值：
7300
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
288
应用：
Automotive Use
安装类型：
Through Hole
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
120

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