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NP88N04DHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04DHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04DHE	文件：242.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N04DHE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
NP88N04DHE-S12-AY	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04DHE-S12-AY	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04DHE-S12-AYNote1,2	文件：314.44 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

封装类型：
MP-25-S/TO-262
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
40
ID (A)：
88
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4.3
Ciss (pF) 典型值：
7300
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
288
应用：
Automotive Use
安装类型：
Through Hole
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
120

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深圳市一线半导体有限公司	NP88N04DHE	NEC	24+	TO-262	8866		询价
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