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NP88N04DHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04DHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04DHE	文件：242.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N04DHE-S12-AY	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04DHE-S12-AY	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04DHE-S12-AYNote1,2	文件：314.44 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04EHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04EHE	文件：306.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N04EHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N04KHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NP88N04DHE
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-262AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市近平电子有限公司	NP88N04DHE	NEC	6000	面议	19	TO-262	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	NP88N04EHE	日本NEC	18+	TO-263	41200	原装正品,现货特价	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP88N04EHE	NEC	TO-263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	NP88N04EHE	NEC	22+	TO-263	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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更多NP88N04DHE供应商更新时间2025-5-22 10:02:00

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